三族氮化物是一類重要的半導體材料，主要包括InN、GaN和AlN及其合金。這些材料具有較寬的帶隙能量範圍，從InN的1.9電子伏到GaN的3.4電子伏再到AlN的6.2電子伏。這種寬範圍的帶隙能量使得三族氮化物適用於多種光電子和微電子器件，如：
短波長發射器：這些材料能夠發出從可見光到深紫外光的光，適用於高效率、高性能的光電子器件。
高溫微波電晶體：由於其優異的電子傳輸特性和寬頻隙，三族氮化物適用於製造能夠在高溫環境下穩定工作的電晶體。
光電探測器：這些材料的化學穩定性和AlGaN/GaN異質結構的可用性，使得它們適用於製造高性能的光電探測器。
場發射尖端：由於其特殊的電子性質，三族氮化物也被用於製造場發射器件。
在器件製造過程中，有效的蝕刻技術對於形成氮化鎵發光二極體的刻面、定義光電探測器的台面和氟化鉿的柵極凹陷至關重要。三族氮化物具有較高的鍵能，這使得它們在室溫下基本上是化學惰性的，並且對鹼和酸有很強的抵抗力。因此，已經研究了多種乾法和濕法蝕刻技術來處理三族氮化物。
當前國際研究熱點集中於高質量高Al、高In材料及其異質結構的外延，以及超高能效白光LED和高性能、低成本的電力電子器件等領域。特別是在AlGaN材料製備方面，如AlGaN紫外及深紫外探測器的研發，面臨著如AlGaN表面開裂問題、Al原子的表面遷移能力低及摻雜困難等挑戰。
綜上所述，三族氮化物因其獨特的物理和化學性質，在光電子和微電子領域有著廣泛的套用和重要的研究價值。