丘克拉斯基法，也稱為直拉法或Czochralski法，是一種用於生長單晶體的技術。
該方法的核心在於將晶體生長原料（如金屬、半導體、氧化物等）放置在坩堝中加熱至熔化，然後通過在熔體表面放置籽晶並控制其緩慢向上提拉，同時保持旋轉，使熔體在籽晶上結晶形成單晶體。這種方法可以在短時間內生長出足夠大的晶體，適用於新晶體探索和物性研究，也廣泛套用於實驗室環境和工業生產中。
丘克拉斯基法的主要優點包括晶體生長過程中不受容器限制，晶體中應力較小，可以防止器壁沾污或接觸引起的雜亂晶核，從而形成多晶。此外，這種方法還允許使用特定的坩堝材料，如石英、石墨和氮化硼等，以適應不同化學性質或熔點的材料。