中子衍射法是一種利用中子在晶體表面散射時形成的衍射圖樣來分析晶體的結構和磁結構的技術。當中子束射到物體上時，會在晶體表面發生反射、散射和衍射，這些散射波會在特定的散射角（滿足布拉格方程2dsinθ=nλ）形成乾涉加強，從而形成衍射圖樣。慢中子的波長大約為10^-10米，與晶體中的原子間距相當，這使得中子衍射成為可能。
中子衍射技術的套用廣泛，包括材料科學、物理學、化學和生物學等領域。它不僅可以確定化合物的分子位置、解析晶體結構和檢測晶體缺陷，而且由於中子比X射線具有更高的穿透性，因此更適合於研究厚樣品和在極端條件（如高低溫、高壓和強磁場）下的物質結構。
此外，中子衍射還具有獨特的優點，如對輕元素（如氫、鋰等）位置的精確確定能力，以及對材料磁性和氫同位素的分析能力。這些特點使得中子衍射成為研究新型功能材料的重要手段之一。