半導體材料
化合物半導體是一種由兩種或兩種以上元素以特定原子配比形成的半導體材料。
這種材料具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。常見的化合物半導體材料包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)等，這些材料在高溫環境下表現出優異的性能，適用於製造耐高溫的電子器件。化合物半導體材料還具有較寬的帶隙範圍、較高的載流子遷移率和熔點，因此它們在高頻傳輸、發光二極管(LED)、激光二極管(LD)、太陽能電池等領域有廣泛的應用。此外，化合物半導體材料還可用於製造超高速集成電路、微波器件、激光器等，對國防、航天和高技術研究具有重要意義。