補償半導體是一種特殊的半導體材料，它同時含有施主和受主雜質原子。在晶體中，單位體積的施主總數（施主摻雜濃度）ND和單位體積的受主總數（受主摻雜濃度）NA是可比的但不相等。這種半導體材料的特點是，由於同時存在施主和受主雜質，它們之間會產生補償作用，導致能夠參加導電的多數載流子濃度很小，因此補償半導體的電阻率很高。儘管如此，補償半導體與未摻雜的本徵半導體不同，它仍然具有一定的導電性。在某些情況下，由於摻雜濃度的不均勻性，補償半導體中還可能出現電子電勢的起伏，導致導帶底和價帶頂的起伏，這種現象可能形成所謂的電子和空穴的「液滴」。