鐵電存儲器(FRAM)是一種利用鐵電材料進行數據存儲的隨機存取存儲器。
它結合了動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀寫能力與非易失性的特點，意味著即使在沒有電源的情況下，它也能保持存儲的數據。鐵電存儲器使用具有自極性的鐵電晶體材料，這些材料可以在電場作用下實現兩種極性狀態的存儲。與傳統的DRAM和Flash存儲器相比，鐵電存儲器具有更快的讀寫速度、更低的功耗和更長的壽命。它克服了傳統非易失性存儲器如EPROM、EEPROM和Flash的寫入速度慢、擦寫次數有限和寫數據功耗大等缺點。鐵電存儲器在智慧卡、無線感測器網路、軍用通信等領域得到了廣泛套用，並且在消費者小型設備如PDA、手機等也有所套用。