光刻是 積體電路 製造中的 關 鍵技 術，它利用光 學和化 學反 應原理，通 過光刻 膠 將掩膜版上的 圖形精 確 轉移到基片上。 這 個 過程主要 包括以下 幾個步 驟：
準備工作。基片（如 矽片）首先被放置在光刻 機上， 並通 過自 動 對位系 統 對準。
塗覆光刻 膠。在基片表面 塗上一 層光刻 膠，形成一 層光敏感的薄 層。
曝光。光源（如紫外 線）通 過掩膜版照射到基片上的光刻 膠 層，引起曝光 區域的光刻 膠 發生化 學反 應。
顯影。使用特定溶 劑溶解去除曝光 區域或未曝光 區域的光刻 膠，形成微小 結 構。
刻 蝕。利用化 學或物理方法， 將未被光刻 膠保 護的 區域去除， 從而在基片上 獲得 與光刻 膠 層一致的 圖形。
光刻技 術的核心 在於其高精度和高 解析度能力， 這使得它能 夠在 納米 級 別上精 確 控制 圖形的位置和尺寸。 隨 著技 術的 發展，光刻技 術也在不 斷 進步，例如 準分子光刻技 術，特 別是193nm浸 沒式光刻技 術，通 過使用液 體介 質替代空 氣，提高了透 鏡的 數值孔 徑和焦深， 從而提高了 解析度和 寬容度。