記憶體時序是描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的一系列參數，通常以四個用破折號分隔開的數字表示，例如「16-18-18-38」，這些數字代表記憶體不同工作環節中的延遲時間，數值越低意味著性能越好。記憶體時序包括以下四個參數：
CAS Latency（CL）。列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數。
RAS to CAS Delay（tRCD）。記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間。
- RAS Precharge Time（tRP）。記憶體行地址選通脈衝預充電時間。
RAS Active Time（tRAS）。行地址激活的時間。
這些參數通常存儲在記憶體條的SPD（Serial Presence Detect，串列存在檢測）中，可以在記憶體條的標籤上找到，或者使用專用工具（如CPU-Z）查看。在相同的頻率下，記憶體時序的數值越小，性能通常越好。