共沉澱法的原理主要涉及在溶液中兩種或多種陽離子同時沉澱的過程。這一現象通常發生在一種沉澱從溶液中析出時，引起某些共存的可溶性物質一起沉澱。共沉澱的形成原因包括表面吸附、混晶和包埋等。
在沉澱晶格內部，正負離子按照一定的順序排列，離子都被異電荷離子所飽和，處於靜電平衡狀態。而在沉澱表面，稜角的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。特別是當沉澱顆粒越小，表面積越大，吸附溶液里異電荷離子的能力就越強。
此外，共沉澱還可能由於沉澱形成速度快，吸附在沉澱表面的雜質或母液來不及離開，被隨後長大的沉澱所覆蓋，包藏在沉澱內部引起。晶體成長過程中，由於晶面缺陷和晶面生長的各項不均勻性，也可將母液包埋在晶格內部的小孔穴中。
如果被吸附的雜質與沉澱具有相同的晶格、相同的電荷或離子半徑，雜質離子可以進入到晶格排列引起共沉澱。這些原理不僅適用於一般化學物質的製備和分析，也在如免疫共沉澱技術和染色質免疫共沉澱技術等特定領域中發揮作用。