化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)是一種結合了化學腐蝕和機械磨擦的表面處理方法。
這種方法通過在磨料上添加化學物質，使其產生化學反應，形成可溶性沉澱物，從而增加機械磨擦的效果，使材料表面得到更好的加工和光潔度。在化學機械拋光過程中，工件表面材料與拋光液中的氧化劑、催化劑等發生化學反應，生成一層相對容易去除的軟質層，然後在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質層，使工件表面重新裸露出來，然後再進行化學反應，在化學作用和機械作用的交替進行的過程中完成工件的表面拋光。
化學機械拋光廣泛應用於半導體制造、光學儀器製造、微電子機械系統加工等領域。在半導體制造中，化學機械拋光可以平整化晶片表面，去除表面缺陷以及增加產量，在提高芯片品質和穩定性方面發揮了重要作用。在光學儀器製造領域，化學機械拋光可以使光學元件表面達到亞波長光滑度，提高光傳輸效率和質量，提高光學元件的性能。