化學機械拋光
半導體CMP（化學機械拋光）是半導體制造過程中的一箇關鍵工藝，它通過結合化學腐蝕和機械研磨的作用，對晶圓表面進行平坦化處理。
在半導體芯片的製造過程中，晶圓需要經過多次刻蝕、離子注入等工藝，這些工藝會使晶圓表面變得凹凸不平，併產生不必要的表面物質。CMP工藝使用拋光墊和拋光液在專用設備上進行，可以有效去除這些表面物質，降低晶圓表面的粗糙度和不平度，從而滿足後續加工流程的需求。
CMP工藝在納米級精度上控制晶圓的平坦化，對於提高集成電路的性能和可靠性至關重要。隨着半導體技術的不斷髮展，CMP工藝也在不斷進步，以適應更小的製程節點和更復雜的結構需求。