晶片失效分析方法多種多樣，具體取決於晶片的類型、失效的類型以及失效的環境。常見的分析方法包括：
外觀檢查。首先進行外觀檢查，查看是否有裂縫、燒傷等異常現象，並進行拍照記錄。
非破壞性分析。利用X射線檢查內部結構，超音波掃描顯微鏡(C-SAM)觀察是否存在分層、裂紋等缺陷。
電性能測試。使用IV、萬用表、示波器等工具進行電測，以確定失效模式，如連線性失效、電參數失效和功能失效。
破壞性分析。通過機械decap、化學decap等方法深入研究晶片的內部結構和失效原因。
驗證失效模式。確保所定義的失效模式是正確的，避免因誤解導致不必要的分析工作。
確認失效種類。失效種類可分為電性和物理兩類，如參數異常、IV曲線問題或漏電流等物理失效特徵，包括封裝損壞、腐蝕等。
晶片開封。去除IC封膠，準備進一步的失效分析實驗。
SEM/EDX分析。進行材料結構分析、缺陷觀察和元素組成常規微區分析。
熱模擬法。檢測晶片的熱處理和結構性能，通過模擬晶片預期的工作條件來檢測晶片的性能。
燒錯分析法。檢測晶片的物理和化學性質以發現失效原因。
每種方法都有其優勢和局限，選擇合適的方法需要綜合考慮晶片類型、失效類型和環境因素。