柴可拉斯基法（Czochralski Process），也稱為直拉法，是一種用於生長晶體材料的工藝。這種方法主要用於製備半導體材料（如矽、鍺和砷化鎵）、金屬（如鈀、鉑、銀、金等）、鹽類以及合成寶石單晶。柴可拉斯基法的特點包括：
套用廣泛：它被廣泛套用於生長晶錠、晶棒和單晶矽等。
生產成本相對較低：能夠大量生產高質量、大尺寸的半導體級或太陽能級單晶矽片。
簡單易行：通過將矽熔融在石英坩堝中，並使用旋轉籽晶逐漸提拉來製備單晶矽。
柴可拉斯基法得名於其發明者，波蘭科學家揚·柴可拉斯基（Jan Czochralski），他在1916年研究金屬的結晶速率時發明了這種方法。除了在半導體工業中的套用，直拉法也演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。