柴氏拉晶法（Czochralski process），簡稱CZ法，是一種用於生長晶體材料的技術，最初由Czochralski於1918年發明，因此得名。這種方法廣泛套用於半導體材料（如矽、鍺和砷化鎵等）、金屬（如鈀、鉑、銀、金等）、鹽類和合成寶石單晶材料的製備。
柴氏拉晶法的具體操作過程如下：
將原料加熱至熔點，形成熔融狀態。
使用晶種（seed crystal，也稱為籽晶棒）接觸熔融狀態的原料表面。
在晶種與熔融原料的固液界面上，由於溫度差異，形成過冷狀態。
熔融原料開始在晶種表面凝固，並生長出與晶種相同晶體結構的單晶。
晶種以極緩慢的速度向上拉升，同時可能以一定的轉速旋轉。
隨著晶種的向上拉升，熔融原料逐漸在晶種的液固界面上凝固，形成軸對稱的單晶晶棒。
柴氏拉晶法的特點包括能夠精確控制單晶的生長方向和晶體結構，適用於多種材料的生長，且能夠生產出高質量的單晶材料。這種方法在半導體工業中尤為重要，因為它能夠生產出用於製造積體電路等高科技產品的關鍵材料。