能隙大小是半導體材料的一個重要特性，它決定了材料對光的回響範圍。根據能隙的大小，半導體材料可以分為三類：
寬能隙半導體：能隙寬度大於3電子伏特(eV)，例如GaN、SiC、GdN。這類半導體的能隙較寬，通常只對紫外光有回響。
中能隙半導體：能隙寬度約為1-3 eV，包括GaAs、InP、Ge。這些材料的能隙適中，可以對可見光和紫外光有回響。
窄能隙半導體：能隙寬度小於1 eV，如Si、Ge、GaSb。這類半導體的能隙較窄，可以吸收較寬波長的光，包括可見光。
能隙的大小對材料的光催化活性有重要影響。一般來說，能隙越小，材料對光的利用效率越高，因為它可以吸收到更寬波長的光。然而，能隙過小也可能導致材料的循環能力差，且產生的氧化能力較小。因此，存在一個最佳的能隙大小，使得材料既能吸收足夠的可見光，又具有較好的氧化降解能力。