場效應電晶體（FET）是一種三端半導體器件，其核心工作原理是通過控制半導體表面的電場來調節電流的流動。具體來說，FET具有源極、漏極和柵極三個端子，其中源極和漏極之間形成一個導電溝道，而柵極則位於這個溝道的一側。通過在柵極和源極之間施加電壓（VGS），可以控制溝道的寬度和電阻，進而調節源極和漏極之間的電流（IDS）。
與雙極結電晶體（BJT）不同，FET是電壓控制器件，其輸出電流（IDS）主要由輸入電壓（VGS）控制，而不是像BJT那樣由輸入電流控制。這種電壓控制特性使得FET具有高輸入阻抗和低噪聲的特性，適用於多種電子設備中，如放大器和開關。