IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）爆炸的原因可以從以下幾個方面進行總結：
內部因素。主要是過熱，當IGBT內部的發熱功率超過其散熱功率時，會導致過熱，進而可能引起爆炸。
人為因素。包括但不限於進線接錯到出線端子、變頻器接到錯誤的電源、未能按照要求接負載等情況。
過電流問題。這可能是由於負載短路或控制電路邏輯受干擾，導致上下橋臂元件直接導通。
過電壓。通常是由線路中的雜散電感在極高的di/dt（電流對時間的導數）作用下產生尖峰電壓引起，可以通過設計高性能的吸收迴路來降低線路雜散電感，從而減少過電壓的風險。
通訊誤碼率。如果通訊過程中出現錯誤信息，可能導致IGBT誤導通，進而引起爆炸。
其他原因。例如電路中過流檢測電路反應時間跟不上、IGBT短路保護執行機構的時間過短、工藝問題（如銅排接觸不良、螺絲擰不緊等）、短時大電流（如死區設定不當、主電路過壓、吸收電路設計不良等）、驅動電源問題（需要隔離和濾波）、電機衝擊反饋電壓過大、電容充電時的浪涌電流等。
總結來說，IGBT爆炸的原因較為複雜，可能涉及內部過熱、人為操作錯誤、電路設計問題、通訊協定錯誤、工藝質量問題等多個方面。了解並採取措施應對這些潛在原因對於提高IGBT的可靠性和延長其使用壽命至關重要。