IR Drop原理是指在積體電路中，由於金屬連線層的電阻存在，導致晶片電壓在傳輸到內部電路的過程中出現電壓損耗的現象。IR Drop的大小取決於電源網路的峰值電流和供電pad到晶片中心的有效電阻。隨著器件和供電電壓距離的增加，IR Drop也會相應增加。
IR Drop可以分為兩種主要類型：靜態IR Drop和動態IR Drop。靜態IR Drop主要是由於電源網路的金屬連線在電流流過時產生的分壓效應，主要與電源網路的結構和連線細節有關。而動態IR Drop則是由於電路在開關切換時電流波動引起的電壓降，通常發生在時鐘的觸發沿，此時大量的電晶體開關和組合邏輯電路的跳變會在短時間內產生較大的電流，從而引起IR Drop。
IR Drop的分析對於確保電源傳輸網路(PDN)的穩健性和晶片的可靠運行至關重要。隨著半導體工藝的演進，金屬互連線的寬度越來越窄，電阻值增加，使得IR Drop效應更加明顯。因此，IR Drop分析已成為晶片設計流程中的一個重要步驟。