MOS管是一種半導體器件，全稱為金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），縮寫為MOSFET。它是一種具有絕緣柵的場效應管，其中的電壓決定器件的電導率，通常用於放大或切換電子信號。MOS管是數字電路中最常見的電晶體之一，因為它們可以由p型或n型半導體製成，所以互補的MOS電晶體對可用於製造具有非常低功耗的開關電路。
MOS管具有以下特點：
輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，所以其輸入幾乎不取電流。
導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，造成極低的傳導損耗。
開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。
在電路設計上的靈活性大，柵極電壓可正可負可零。
低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，製造成本低廉且使用面積較小、高整合度。
極強的大電流處理能力，可以方便地用作恆流源。
然而，MOS管柵極很容易被靜電擊穿，感應電荷難以釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。
MOS管根據操作類型分為增強型和耗盡型，增強型MOS管在柵極沒有電壓時顯示最大電導，而耗盡型MOS管在柵極沒有電壓時不導通。此外，MOS管還根據用於構造的材料進一步分類為N溝道和P溝道，因此一般有四種不同類型的MOS管：N溝道耗盡型、P溝道耗盡型、N溝道增強型、P溝道增強型。