電壓控制
MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）的工作原理主要基於電壓控制。
MOSFET是一種電壓控制型半導體器件，它通過改變柵極和源極之間的電壓（VGS）來控制漏極電流（ID）。MOSFET由金屬層、氧化層和半導體層組成，其中氧化層隔離了金屬層和半導體層。在n-MOSFET中，電子是多數載流子，而在p-MOSFET中，空穴是多數載流子。MOSFET分為增強型和耗盡型，增強型在柵極電壓達到一定閾值（VGS(th)）時形成導電溝道，而耗盡型在柵極電壓為零時就已經有導電溝道。當柵極電壓超過閾值VGS(th)時，會在源極和漏極之間形成一個電子溝道，從而允許電流從漏極流向源極。
由於其高輸入電阻、低噪聲、低功耗、動態範圍大、易於集成等特點，MOSFET已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。