磁電阻效應
MRAM（Magnetic Random Access Memory）的工作原理主要基於磁電阻效應。它使用磁性隧道結（MTJ）作為存儲單元，MTJ包含兩個鐵磁層和一個絕緣層。一個鐵磁層（固定層）的磁化方向是固定的，而另一個鐵磁層（自由層）的磁化方向可以改變。
當自由層的磁化方向與固定層相同時，MTJ呈現低電阻狀態，表示二進制數據「0」；當兩者磁化方向相反時，MTJ呈現高電阻狀態，表示二進制數據「1」。讀取數據時，通過檢測MTJ的電阻高低來判斷存儲的數據是「0」還是「1」。寫入數據時，通過改變流過MTJ的電流方向來切換自由層的磁化方向，從而實現數據的存儲。
MRAM具有非易失性的特點，即使斷電，存儲的數據也不會丟失。它的讀取和寫入速度接近SRAM，且組件功耗低。