NMOS電晶體的工作原理是：它由一個源極、一個漏極和一個控制極（柵極）組成。當控制極（柵極）上的電壓高於源極時，電晶體就會導通，從而允許電流從源極流向漏極。當控制極（柵極）上的電壓低於源極或等於零時，電晶體就會斷開，從而阻止電流從源極流向漏極。NMOS電晶體是壓控型器件，通過控制Vgs（柵源電壓）來控制電晶體的導通與截止狀態。當Vgs大於Vth（閾值電壓）時，內部溝道導通；當Vgs小於Vth時，內部溝道截止。因此，通過調節Vgs的大小，可以控制NMOS電晶體的導通程度，從而實現對電流的控制。
NMOS電晶體的工作原理是：它由一個源極、一個漏極和一個控制極（柵極）組成。當控制極（柵極）上的電壓高於源極時，電晶體就會導通，從而允許電流從源極流向漏極。當控制極（柵極）上的電壓低於源極或等於零時，電晶體就會斷開，從而阻止電流從源極流向漏極。NMOS電晶體是壓控型器件，通過控制Vgs（柵源電壓）來控制電晶體的導通與截止狀態。當Vgs大於Vth（閾值電壓）時，內部溝道導通；當Vgs小於Vth時，內部溝道截止。因此，通過調節Vgs的大小，可以控制NMOS電晶體的導通程度，從而實現對電流的控制。