P溝道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應電晶體）的工作原理基於柵極電壓對溝道的控制。以下是詳細介紹：
當柵極電壓低於閾值電壓時，P型MOS管處於關斷狀態，溝道中沒有導電電子。
當柵極電壓高於閾值電壓時，P型MOS管處於導通狀態，溝道中有導電電子，這是因為在電場的作用下，P區的電子會在電場的作用下聚集到柵極氧化矽下，形成一個以電子為多子的區域，即溝道，當在漏極和源極之間施加電壓時，電流可以在源極和漏極之間自由流動。
柵極電壓的變化可以通過外部電路或信號源來控制，從而實現對負載電流的控制。MOSFET是一種常用的半導體器件，它通過控制電子的流動來控制電路中的電流，這種器件在電子學領域中非常重要。