PECVD（電漿增強化學氣相沉積）是一種薄膜沉積技術，其基本原理是在低溫電漿環境下，通過氣體分子的化學反應在基片表面形成固態薄膜。
在PECVD系統中，通常使用射頻（RF）或微波產生電漿，這在低壓力環境下（通常低於0.1 Torr）進行，允許在相對較低的溫度下（從室溫到350°C）進行薄膜沉積。在PECVD過程中，前體氣體如矽烷（SiH4）和氨氣（NH3）被引入反應室，並在電漿中被激發。這些氣體在高頻電場的作用下發生化學反應，生成所需的薄膜材料，如氮化矽（Si3N4），然後沉積在基片表面。
PECVD技術的優點包括較低的沉積溫度、良好的膜層覆蓋、高度均勻的薄膜沉積以及出色的材料特性控制。這些特性使得PECVD適用於敏感或難以承受高溫的材料，如塑膠，以及需要精確控制薄膜性能的套用。
PECVD廣泛套用於半導體製造、太陽能電池、微電子機械系統等領域，特別是在需要高質量絕緣介質薄膜的低溫沉積方面顯示出其獨特的優勢。