Tauc plot法是一種用於確定半導體材料禁頻寬度的方法，由Tauc, Davis和Mott等人提出。該方法的計算公式可以表示為：
(αhv)1/n=A(hv-Eg) hv=hc/λ
其中，α為吸光指數，h為普朗克常數，c為光速，λ為光的波長。A為常數，Eg為半導體禁頻寬度。指數n與半導體類型相關，直接帶隙半導體為1/2，間接帶隙半導體為2。
在套用Tauc plot法時，需要使用UV-Vis DRS（紫外-可見漫反射光譜）測試得到樣品在不同波長下的吸收數據。然後，將這些數據導入到繪圖軟體（如Origin）中，以(αhv)1/n對hv作圖，得到散點圖。在圖中，曲線先是彎曲，然後有一段近似線性。
需要注意的是，讀取的UV-vis DRS譜圖縱坐標應為吸收值Abs，如果是透過率T%，可以通過公式Abs=-lg(T%)進行換算。通過這種方法，可以更加準確地確定半導體的禁頻寬度。