勢壘電容是一種特殊的電容器，主要存在於PN結中。
勢壘電容是由於PN結內部耗盡層的存在而產生的，這個耗盡層是由於兩側半導體（P型和N型）中載流子的擴散和複合而形成的。當PN結外加電壓變化時，會引起耗盡層中電荷量的變化，這種變化類似於電容器的充放電過程。因此，耗盡層的寬窄變化可以等效爲一箇電容，這就是勢壘電容。
勢壘電容是一種與電壓相關的非線性電容，其大小取決於PN結的面積、半導體的介電常數和外加電壓。在PN結被反向偏置時，勢壘區變寬，電容值增大；而在正向偏置時，勢壘區變窄，電容值減小。勢壘電容在高頻電路中有廣泛應用，如調諧電路、濾波電路或穩壓電路等。由於其結構簡單、體積小、封裝方式多樣，勢壘電容在集成電路、光學設備和傳感器等領域中得到了廣泛的應用。