矽烷法

矽烷法是一種製備多晶矽的方法，它涉及使用矽烷（SiH4）作為原料氣體，通過化學氣相沉積法（CVD）在矽襯底上沉積形成多晶矽層。這種方法相比於改良西門子法，具有以下優點：

原材料選擇寬容度較大。

製備出的多晶矽顆粒尺寸均勻，無雜質。

適用於高端工業領域，如單晶矽氧化物薄膜電晶體和太陽能電池等。

矽烷法的缺點包括對反應條件的嚴格要求，如果反應條件不當，可能導致矽烷氣體分解成固體顆粒，並且易受氧氣和水分的影響，不適用於大面積生產。此外，還有矽烷西門子法和矽烷流化床法兩種具體的矽烷法工藝。