能隙是什麼

能隙是指在半導體材料中，價帶（valence band）頂端至導帶（conduction band）底端的能量差距。

能隙的寬度用符號Eg表示，這個能量差是半導體材料電子導電性的基礎。在絕緣體中，這個能量差較大，通常大於4.5eV，而在半導體材料中，這個能量差較小，通常在0.1到3eV之間。當價帶上的電子獲得足夠能量時，可以越過能隙進入導帶，從而在固體材料內自由移動形成電流。能隙的存在也決定了半導體材料是處於絕緣狀態還是導通狀態，可以通過改變能隙的寬度來調節半導體的導電性能。