CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）製程是一種廣泛用於積體電路製造的技術，其特點包括低功耗、高可靠性、低噪聲和快速回響。CMOS技術的主要優勢在於其能夠以較低的能耗實現高性能的邏輯電路運作，這一點在高性能計算和可攜式電子設備中尤為重要。
CMOS製程的工藝流程包括多個關鍵步驟，如：
氧化層沉積：在矽片上形成一層二氧化矽，用於隔離和保護電晶體。
掩膜製作：使用光刻膠和掩模定義電路圖案。
離子注入：向矽片中注入雜質離子，以形成PN結和控制電路行為。
熱擴散：通過高溫過程使離子注入的雜質擴散，最佳化電晶體的性能。
金屬化：在矽片上沉積金屬（如銅或鋁），用於連線不同的電路元件。
此外，CMOS製造還包括刻蝕、沉積和光刻等關鍵技術，這些技術共同作用以實現複雜的積體電路結構。
在CMOS製造中，刻蝕技術用於去除或改變晶片表面特定區域的材料，而沉積技術則用於在晶片表面添加材料層。光刻技術則是通過光敏膠和掩模將圖案轉移到矽片上，為後續的刻蝕和沉積操作做準備。
目前，最先進的CMOS晶片工藝製程已達到7納米工藝節點，這個尺寸相當於28個二氧化矽分子的大小。7納米工藝的CMOS晶片在性能、能效和集成度方面都達到了先進水平。
CMOS晶片的製造過程分為前端製造（包括晶圓處理和測試）和後端製造（包括封裝和最終測試）。前端製造過程極其複雜，需要在無塵室環境中嚴格控制溫度、濕度和塵埃。後端製造則涉及將晶圓上的電路切割成獨立的晶粒，並進行封裝和最終測試，以確保產品的質量和性能。