CZ拉晶，全稱Czochralski法，是一種廣泛套用於單晶生長的技術。以下是詳細介紹：
原料。CZ拉晶使用的原料主要是多晶矽塊，這些原料被放入石英坩堝中，在單晶爐中加熱至融化狀態。
過程。CZ拉晶的過程包括將一根細棒狀的晶種（籽晶）浸入融液中，在適宜的溫度下，融液中的矽原子會沿著晶種矽原子的排列結構在固液交界面上形成規則的結晶，隨著晶種緩慢旋轉和向上提升，矽原子會在前面形成的單晶體上繼續結晶，形成圓柱形的矽單晶晶體，即矽單晶錠。
優點。CZ拉晶技術具有多種優點，例如可以方便地觀察晶體生長過程，晶體在熔體的自由表面處生長而不與坩鍋接觸，減少熱應力，以及方便地使用定向籽晶和籽晶細頸工藝以減小晶體中的缺陷。
套用。CZ拉晶技術在半導體器件、光電子器件、光通信等領域得到了廣泛套用。
此外，CZ拉晶過程中的重要參數包括溫度、拉速和直徑控制，通過調整這些參數可以控制晶體的生長速度和尺寸。拉晶過程中還會形成光圈，這是固液交界面處的彎月面對坩堝壁亮光的反射，通過觀察光圈的變化可以判斷晶體直徑的變化。