雙擴散金屬氧化物半導體
DMOS是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor的縮寫，即雙擴散金屬氧化物半導體。它是一種MOS管，其結構與CMOS器件類似，包括源、漏、柵等電極。DMOS器件的特點是漏端擊穿電壓較高，適用於需要高電壓和高頻率特性的開關應用，如噴墨打印頭、汽車控制電子、電源等。DMOS主要有兩種類型：垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（VDMOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（LDMOSFET）。DMOS器件通常由成百上千的單一結構的DMOS單元組成，以提供較大的輸出電流和更強的驅動能力。在功率應用中，DMOS技術採用垂直器件結構，具有高電流驅動能力、低Rds導通電阻和高擊穿電壓等優點。
需要注意的是，DMOS與二甲基亞碸（DMSO）是不同的化合物。二甲基亞碸是一種含硫有機化合物，分子式爲C2H6OS，常溫下爲無色無臭的透明液體。