EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一種可以在不從系統中移除的情況下進行修改的非易失性存儲器。EEPROM的工作原理基於浮柵技術，具體可以參考如下：
浮柵技術。EEPROM包含多個電晶體陣列，每個電晶體都有一個浮柵極和控制柵極。電晶體的導電狀態由浮柵極上積累的電荷數量決定，這些電荷可以通過在控制柵極上施加電壓來修改。
寫入過程。在寫入時，通常在漏極施加高壓，電子從源極流向漏極，使溝道充分開啟。高壓作用下，電子被加速並注入到浮柵極中。這裡的電子積累導致電晶體處於關閉狀態，實現數據的存儲。
擦除過程。擦除EEPROM時，通常利用紫外線照射晶片，使浮柵極中的電子獲得足夠的能量逃離浮柵極，或者通過在控制柵極上施加特定電壓，利用F-N隧道效應（Fowler-Nordheim tunneling）將電子從浮柵極中移除，使電晶體回到高導電狀態。
EEPROM的這些特性使其成為一種理想的存儲解決方案，適用於多種套用，如BIOS更新、硬體鎖定等。