EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）的工作原理主要基於浮柵電晶體技術。EPROM的基本結構包括一個浮柵和一個控制柵極，它們之間由一層絕緣層隔離。在EPROM被編程時，高電壓被施加到控制柵極，使得電子能夠通過隧道效應注入到浮柵中，從而改變浮柵內的電荷狀態。這個過程使得EPROM處於一種「寫入」狀態。
要擦除EPROM，需要使用紫外線照射其透明視窗，這有助於將浮柵中的電子釋放出來，恢復到初始的無狀態（未編程）狀態。這是因為紫外線照射能夠提供足夠的能量給電子，使它們克服二氧化矽層的勢壘，從而離開浮柵。
EPROM的一個重要特點是其非易失性，意味著數據在斷電後仍然保留。這與易失性存儲器（如DRAM）不同，後者在斷電後會丟失數據。
總的來說，EPROM的工作原理結合了高壓編程和紫外線擦除技術，使其成為一種可靠的、非易失性的存儲解決方案。