FIB（Focused Ion Beam）分析失效晶片的方法主要包括以下幾個步驟：
Decap。首先使用雷射開蓋機去除塑膠外殼，露出電路板。這一步需要避免損壞電路。之後用酸腐蝕塑膠，並用酒精清洗，以露出完整的電路板。
EMI/EMMI。使用X射線檢查儀在暗室中掃描晶片，尋找好壞片之間的差異。通過不同倍率的物鏡掃描，對比電子光的亮點，定位出問題電路模組。
Probe。在FEI Fib800儀器上，對猜測的問題信號線位置進行去鈍化處理，然後使用探針台進行探針測試，查看問題信號線的波形，以確定異常信號。
FIB。根據已知數據，分析問題的根本原因，並制定相應的FIB方案。在FEI Fib800儀器上，使用離子束在猜測的問題區域打洞，露出底部的金屬鋁線，並進行必要的修復或連線。
驗證。驗證FIB修復後的結果是否解決了問題，再次進行探針測試，確保問題信號線已經恢復正常。