IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）是一種複合型的半導體器件，結合了MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）和雙極型電晶體（BJT）的特點。IGBT在電力電子技術中得到廣泛套用，特別是在中大功率的開關電源裝置中，由於其控制驅動電路簡單、工作頻率較高、容量較大，已逐步取代晶閘管或GTO。
IGBT的工作原理：
IGBT由MOSFET和PNP電晶體組成，其中MOSFET作為輸入極，PNP電晶體作為輸出極。
當在IGBT的柵極和發射極之間加上正電壓時，MOSFET導通，使得PNP電晶體的集電極與基極之間形成低阻狀態，從而導通電晶體。
若柵極和發射極之間的電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP電晶體基極電流的供給，使電晶體截止。
IGBT的使用注意事項：
驅動電壓：確保IGBT柵極與發射極之間的驅動電壓不過高或過低，以避免永久性損壞。
電壓和電流限制：確保加在IGBT集電極與發射極之間的電壓不超過其耐壓值，流過的電流不超過最大允許值。
結溫控制：監控IGBT的結溫，確保不超過其允許的最大結溫，以防止損壞。
保護措施：
在電路設計中，應針對影響IGBT可靠性的因素，採取相應的保護措施，如過流保護、過壓保護和過熱保護等。
使用快速恢復二極體或鉗位電路來減少IGBT在開關過程中的電壓尖峰。
採用負柵極電壓技術來加速IGBT的關斷過程。
通過以上措施，可以有效提高IGBT的使用壽命和系統的可靠性。