JFET（結型場效應電晶體）的工作原理基於其內部PN結的控制。
JFET是一種三端半導體器件，由兩個摻雜類型相反的半導體材料組成，形成一個PN結。其中一個區域是N型半導體，另一個區域是P型半導體。在JFET中，柵極（Gate）通過控制與溝道區域的距離來影響溝道內的電荷流動。當柵極施加正電壓時，會在N型區與P型區之間形成一個空間電荷區域，即溝道，從而控制電流的流動。相反，如果柵極施加負電壓，則會減少這個空間電荷區域。
在JFET內部，當柵極與溝道之間的電壓（VGS）增加時，空間電荷區的寬度也會增加，導致溝道電阻減小，從而增加流過漏極（Drain）和源極（Source）之間的電流（IDS）。相反，如果VGS減小，溝道電阻增加，IDS也會減小。這種通過改變VGS來控制IDS的特性使得JFET可以作為放大器或開關使用。
此外，JFET的工作狀態還受到漏極和源極之間的電壓（VDS）的影響。當VDS增加到一定程度時，會形成預夾斷狀態，此時即使VGS繼續增加，IDS基本保持不變，進入飽和狀態。
總的來說，JFET的工作原理是通過控制柵極電壓來調節溝道內的電荷流動，從而控制電流的通過。