MOS（金屬-氧化物-半導體）器件的工作原理可以通過以下幾個關鍵點來概述：
基本結構與類型。MOS器件具有金屬柵極、二氧化矽絕緣層和N型或P型半導體襯底。根據柵極材料（N型或P型）和導電類型（N溝道或P溝道），可以分為N溝道增強型、P溝道增強型、N溝道耗盡型和P溝道耗盡型。
工作原理。當在MOS管的柵極和源極之間施加正電壓（VGS）時，會在氧化層下形成一個N型區域，即導電溝道，將漏極和源極連線起來。這個電壓超過一定閾值電壓（VT）時，導電溝道才會形成。導電溝道的寬度和長度由柵極電壓控制，而漏極電流（Id）主要受柵源電壓（VGS）和漏源電壓（VDS）的影響。
增強型與耗盡型的區別。增強型MOS管（E-MOS）在未施加柵極電壓時顯示高阻抗，需要施加正向電壓才能開啟。相比之下，耗盡型MOS管（D-MOS）在未施加柵極電壓時已部分開啟，柵極電壓可以是正也可以是負，但不會完全關閉。
套用。MOS管以其高輸入阻抗、低噪聲係數和廣泛的套用範圍而聞名，特別是在數字和模擬積體電路中。它們可用於放大或切換電子信號，並且在製造CMOS（互補金屬氧化物半導體）邏輯電路中至關重要。
總的來說，MOS器件通過精確控制柵極電壓來調節導電溝道的寬度和長度，從而控制電流的流動，實現信號的放大或切換。