MOS管的工作原理是基於金屬-氧化物-半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET）的原理。MOS管由金屬柵極、氧化物絕緣層和半導體基底組成，通過控制柵極電場強度，改變半導體中載流子的濃度，從而調節電路的電流。
具體來說，MOS管的工作原理可以分為三個階段：截止區、線性區和飽和區。在截止區，柵極電壓較低，無法形成電場，電路中的電流非常小。線上性區，柵極電壓逐漸增加，電場強度也隨之增加，半導體中的載流子濃度開始增加，電路中的電流也隨之增加。在飽和區，柵極電壓達到一定值，電場強度已經飽和，電路中的電流也不會再增加。
此外，MOS管還可以根據用於構造的材料進一步分類為N溝道和P溝道，且有兩種工作模式：增強型和耗盡型。增強型MOS管在柵極電壓達到一定值時才會導通；而耗盡型MOS管則在沒有柵極電壓時就已經導通，柵極電壓可以改變其導電性能。
總的來說，MOS管是一種電壓控制電流的半導體器件，其特點是柵極的內阻極高，屬於電壓控制型器件，可以作為開關、放大器、穩壓器等電路中的關鍵元件，從而實現電路的控制和調節。