SRAM（Static Random-Access Memory，靜態隨機存取存儲器）是一種計算機記憶體技術，其基本工作原理和結構特點如下：
工作原理。SRAM基於觸發器的穩定性和邏輯門電路的運算能力。每個SRAM存儲單元通常由6個電晶體組成，分為4個場效應管構成的兩個交叉耦合的反相器和一個用於讀寫控制的另外兩個場效應管。這種結構使得數據以二進制形式（0或1）存儲在交叉耦合的反相器中，實現數據的穩定存儲。
讀寫操作。在寫入數據時，輸入信號通過邏輯門電路改變輸出信號的狀態，從而在SRAM中寫入特定的位模式。讀取數據時，通過將存儲單元的輸出連線到數據線上，允許數據從SRAM讀取到外部設備。由於採用靜態存儲技術，讀取數據只需簡單地將數據線與存儲單元連線，無需進行刷新操作。
性能特點。SRAM以其高速訪問速度和低功耗而聞名，但其集成度相對較低，成本較高。它通常用於需要快速數據訪問的場合，如CPU快取和暫存器。與DRAM（Dynamic Random Access Memory）相比，SRAM不需要周期性的刷新操作，但其缺點是功耗較大，相同容量的DRAM可以設計為更小的體積。
套用場景。由於高速和靜態特性，SRAM常被用作CPU快取或其他需要快速數據傳輸的場合。例如，在計算機主機板上，SRAM用作Cache存儲器，以加速數據訪問速度。
綜上所述，SRAM通過其獨特的存儲單元結構和讀寫機制，實現了快速且穩定的數據存儲功能，雖然在成本和功耗方面存在挑戰，但其高性能特性使其在特定套用中具有不可替代的優勢。