TOF-SIMS（飛行時間二次離子質譜）是一種先進的表面分析技術，它通過使用一次離子束轟擊樣品表面，激發出二次離子，然後測量這些離子的飛行時間來分析樣品。這項技術的特點包括：
高靈敏度。TOF-SIMS可以檢測極低濃度的物質，如0.1到1ppm的原子濃度，使其成為痕量分析的理想選擇。
廣泛的元素覆蓋。它可以檢測從氫到鈾的所有元素，包括其同位素。
分子水平的信息獲取。TOF-SIMS能提供有關有機和無機材料的分子結構和組成詳細信息。
高空間解析度。在成像模式下，空間解析度可達到50納米，而保持高質量解析度下的表面靈敏度可達1~3個原子層。
深度剖析能力。TOF-SIMS可以提供材料表面以下約2納米的深度解析度，有助於理解樣品表層的組成和結構。
廣泛的套用領域。包括半導體、材料科學、生物醫學、環境科學和能源等領域。
TOF-SIMS的這些特性使其成為材料科學、半導體製造、生物醫學研究等領域的重要工具。通過它，研究人員可以獲得關於樣品表面的詳細信息，包括元素組成、化學鍵接、分子結構和分子相互作用等。