TSV封裝，即硅通孔(Through-Silicon Via)封裝技術，是一種先進的芯片封裝方法。
這種技術涉及在芯片之間或晶圓與晶圓之間製作垂直導通路徑，這些路徑可以通過銅、鎢、多晶硅等導電材料填充，實現垂直方向的電氣互聯。這種垂直互聯方式有助於縮短連接長度，減少信號延遲，並且能降低電容和電感，使得芯片間可以實現更低功耗、高速通信。同時，它還促進了晶圓堆疊和芯片堆疊，實現了器件集成的小型化，是提升芯片性能和應對摩爾定律失效的重要技術之一。
這種技術有兩種主要的應用方式，分別是Via-first和Via-last。Via-first是在CMOS製造完成後製作TSV，然後完成後續的器件製造和封裝。而Via-last則是在封裝的生產階段應用TSV技術，它不需要改變現有的集成電路流程和設計。