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wafer流程

晶圓Wafer)的生產流程是一個複雜的過程,主要包括以下步驟:

提取晶體矽:首先,從砂子中提取矽元素,並通過化學反應將其轉化為純度較高的多晶矽。這一過程涉及將矽與氧氣反應,生成二氧化矽和一氧化碳氣體,然後進一步熔煉得到三氯矽烷,最後分解三氯矽烷得到超高純度的多晶矽棒。

製造晶棒:將提取的超高純度多晶矽棒熔煉,形成晶棒。在這個過程中,會使用籽晶作為引導,確保晶體按照預定的方向生長。

晶片分片:將製造好的晶棒切割成薄片,這些薄片就是晶圓。

外觀處理:對切割好的晶圓進行外觀的打磨和拋光,以提高其表面質量。

生長二氧化矽層:通過高溫處理,在晶圓上形成一層二氧化矽(SiO2)。這一步是為了在後續的工藝中提供良好的絕緣層。

光刻膠塗布:在晶圓上塗布光刻膠,這是為了在後續的光刻過程中提供圖案。

光刻:使用光刻機將圖案轉移到晶圓上。這一步是通過紫外線照射塗有光刻膠的晶圓來實現的。

電鍍和拋光:在光刻後的晶圓上進行電鍍和拋光處理,以形成所需的電路圖案。

切片和測試:將處理好的晶圓切割成單獨的晶片(Die),然後使用探針台(Prober)和測試機(ATE)對每個晶片進行測試。測試結果會被標記,以便後續處理。

包裝入盒:測試合格的晶片會被封裝成晶片,並包裝入盒,準備發往封測環節。

以上步驟構成了晶圓生產的基本流程,每個步驟都對最終產品的性能和質量有著重要影響。