50%以上
中芯 國 際的7nm（ 納米）工 藝良率已 經提升至50%以上， 預 計到9月份 將 達到70%以上。 這一 數 據表明中芯 國 際在7nm工 藝技 術上取得了 顯著 進步。目前，中芯 國 際的7nm工 藝技 術被 稱 為7nm FinFET N+1， 擁有0.9 億個 電晶體每平方毫米的密度。 業界普遍 認 為，良率的提升 對於提高 晶片生 產效率和降低成本至 關重要。中芯 國 際的 這一 進步可能 會使其在年底前使用Nova12的麒麟830 晶片。
儘管之前有外媒分析 稱中芯7 納米 製程的良率不足50%，但林本 堅博士，前台 積 電研 發副 總裁兼清 華大 學半 導 體 學院院 長，估 計中芯 國 際的良率已 經 從15%提升至50%。 這一估 計 基於 華 為 採用中芯 國 際7 納米 製程代工生 產的麒麟9000S 晶片。 華 為的新手 機 晶片 採用了 這一技 術，表明中芯 國 際的7nm工 藝良率已 經 達到了行 業 認可的水平。