外延爐是一種在半導體生產工藝中使用的關鍵設備，它主要用於生長半導體晶體片。這種設備通常採用化學氣相沉積（CVD）工藝，能夠在高溫、高壓的環境下生長晶體層，使得半導體材料在晶體層上形成不同的結構和組分，從而實現特定的電學、光學、磁學等性質。外延爐可以用於製備高純度的單晶矽、砷化鎵、磷化鎵等半導體材料。
外延爐有多種類型，包括但不限於：
石墨外延爐：通過加熱石墨舟底部的電石墨加熱器來傳導熱能，適用於矽基材料、氮化鎵等材料的外延生長。
氣流外延爐：在石墨外延爐的基礎上增加對流氣流，使用氦氣或氮氣作為載氣，通過調節氣流速度和溫度梯度來控制外延生長過程，適用於生長矽基材料、氮化鎵、磷化鎵等材料。
分子束外延爐（MBE）：在高真空環境下，通過將分子束蒸鍍在單晶襯底上，用於生長高質量、高純度的薄膜材料，適用於複雜的III-V族化合物半導體材料，如砷化鎵、磷化鎵等。
化學氣相沉積爐（CVD）：利用化學反應在表面沉積薄膜，通常採用氣體預混使用熱解或催化劑分解的方式來生長薄膜材料，適用於生長二維材料、金屬薄膜等。
這些外延爐在晶片製造過程中有不同的套用，常見的套用包括生長矽基材料、外延膜、多晶矽層、氮化鎵、砷化鎵等材料。它們在積體電路、光電器件、光纖通信等領域起著重要作用。