石墨烯的合成方法主要包括微機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法、化學氣相沉積法等。以下是這幾種方法的具體介紹：
微機械剝離法。通過機械力從石墨晶體的表面剝離出石墨烯片層，這種方法得到的石墨烯具有較好的晶體結構，但效率較低，不適合大規模生產，主要用於實驗室基礎研究。
氧化還原法。利用氧化石墨材料在高溫下還原生成石墨烯，這種方法成本低，可大規模生產，但可能引入缺陷，影響石墨烯的性能。
SiC外延生長法。通過加熱單晶SiC並去除Si，在單晶面上分解出石墨烯片層，這種方法難以控制，難以獲得大面積、單一厚度的石墨烯。
化學氣相沉積法（CVD）。用含碳化合物作為碳源，在高溫下分解並沉積在金屬基體表面，形成石墨烯層，CVD法可製備高質量的石墨烯，適用於大規模工業生產。
液相剝離法。使用特定溶劑或表面活性劑在液相中將多層石墨逐層剝離成單層石墨烯。
碳化矽模板法。在碳化矽模板表面生長石墨烯，通過去除模板得到單層石墨烯膜。
這些方法各有優劣，適用於不同的套用場景和需求。