肖特基缺陷是一種點缺陷，主要存在於化合物半導體中。這種缺陷通常在非絕對零度（T>0K）時發生，由於晶格熱振動，一些能量較大的原子會離開原來的格點，遷移到晶體表面、晶界或其他地方，這樣，原來的位置就會出現空缺，形成空位。這些空位可以是中性的，也可能帶有正電或負電，對化合物半導體的導電性能有顯著影響。
肖特基缺陷與弗倫克爾缺陷的一個重要區別是，前者在晶體內部形成空位而沒有間隙原子，而後者則是在晶體內部形成間隙原子和空位。肖特基缺陷的形成能較低，因此在鹼金屬鹵化物中較為常見，但在高溫下才較為明顯。相比之下，氧化物的離子性較弱，其肖特基缺陷形成能較高，只有在較高溫度下才變得重要。
此外，肖特基缺陷的濃度隨著溫度的升高而增大。這種缺陷的存在可以通過場離子顯微鏡直接觀察到。