BSIM模型（Berkeley Short-channel IGFET Model）是由加州大學伯克利分校的研究人員開發的，專門用於模擬金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的模型。它是一種數學模型，用於描述MOSFET器件的電流與電壓之間的關係，因此在積體電路（IC）設計中被廣泛使用。BSIM模型家族包括多個版本，每個版本都針對特定的器件製造工藝和套用場景進行了最佳化，例如BSIM1、BSIM2、BSIM3、BSIM4、BSIM6、BSIM-CMG、BSIM-IMG等。這些模型在精度、計算速度和適用範圍上有所不同，以便更好地滿足不同的套用需求。
BSIM-CMG是BSIM系列模型的最新版本，它旨在更準確地描述現代CMOS器件的特性和行為。相對於以前的BSIM版本，BSIM-CMG在以下幾個方面進行了改進：
增加了用於描述低壓操作下電流和電壓之間關係的新模型。
引入了新的二維材料（如石墨烯）和垂直電晶體等新型器件的模擬。
提高了對低電壓器件和快速開關套用的準確性。
BSIM-CMG在Verilog-A中實現，並通過工業實驗數據進行了驗證。該模型在Vds=0時是連續且對稱的，基於物理的模型，可預測各種器件參數。它主要考慮了量子效應、表面反向散射、空間電荷效應、溫度效應、通路長度調節效應、壓縮效果和熱效應等。
在電路仿真過程中，SPICE是一種常用的電路仿真器，用於模擬電路中的各種器件和組件的行為和特性。BSIM-CMG作為MOSFET器件的模型，在SPICE中的使用可以更準確地模擬MOSFET器件的行為和特性。