外延生長是一種半導體材料和器件製造的重要工藝。
這種技術涉及在經過仔細準備的晶片（單晶襯底）上生長一層新的單晶層，這層新單晶層沿着原有的晶向延伸，類似於晶體向外延伸了一段。這種生長出的單晶層被稱爲外延層，其可以是同質外延，即與襯底使用相同的材料，也可以是異質外延，即使用不同的材料。
外延生長可以根據生長機理分爲直接外延生長和間接外延生長。直接外延生長涉及原子直接從源轉移到襯底上形成外延層，而間接外延生長則涉及通過化學反應在襯底上形成所需的原子或分子，進而生長出外延層。這種技術不僅提高了半導體材料的質量和器件的性能，而且對於新材料和器件的開發以及半導體科學的發展都具有重要意義。