雪崩擊穿是一種電氣現象，通常發生在半導體器件中，特別是PN結二極體和各種類型的功率電晶體中。
當這些器件的反向電壓超過一定臨界值時，會發生突然的電流流過原本應該阻止電流流動的PN結，這種現象稱為雪崩擊穿。其物理過程如下：當PN結的反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨之增強，使得通過該區域的電子和空穴獲得足夠的能量，在與晶體原子碰撞時能夠激發出更多的自由電子和空穴，這個過程類似於碰撞電離，新產生的載流子（電子和空穴）在電場中加速，進一步產生更多的電子-空穴對，導致載流子數量的急劇增加，類似於雪崩效應。
這種載流子的倍增效應導致反向電流迅速增大，最終導致PN結的雪崩擊穿，雪崩擊穿可能導致器件損壞，特別是在高電場作用下，如果電流不通過外部電路得到限制。在電力系統中，雪崩擊穿可能由過電壓等原因引起，導致絕緣擊穿和設備失效。