光刻法是一 種在微 電子 製造中 用於 創建微小 圖案或 結 構的工 藝技 術，它主要 套用 於半 導 體器件的 製造。以下是光刻法的主要步 驟和原理：
準備。在 矽片或其它基底上 塗上一 層光刻 膠， 這是一 種 對光 線敏感的材料。
曝光。使用光掩模（一 種包含所需 圖案的模板）和光源（通常是紫外 線），通 過特定波 長的光 線照射到 塗有光刻 膠的 矽片上，光 線使光刻 膠的部分 區域 發生化 學反 應， 從而改 變 這些 區域的溶解性。
顯影。用特定的溶 劑（ 顯影液） 處理 矽片，溶解掉那些暴露在光 線下的光刻 膠，留下未暴露的 區域形成 圖案。
後 處理。 對未被光刻 膠保 護的 區域 進行刻 蝕或 離子注入等 處理，然 後去除 剩餘的光刻 膠，完成整 個光刻 過程。
光刻 過程的 關 鍵 在於精 確 控制曝光量和光源波 長，以及 後 續化 學 處理，以 確保 圖案的 準確 複製。 隨 著技 術的 發展，光刻技 術也在不 斷 進步，例如 採用 極紫外(EUV)光源的高 解析度光刻技 術，提高了 積體電路的集成度和性能。